Relaxed and strained patterned germanium-tin structures: A Raman scattering study

• المؤلفون الرئيسيون: Cheng, R., Wang, W., Gong, X., Sun, L., Guo, P., Hu, H., Shen, Z., Han, G., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82973
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1149/2.013304jss