PVD HfO2 for high-precision MIM capacitor applications

• المؤلفون الرئيسيون: Kim, S.J., Cho, B.J., Li, M.F., Yu, X., Zhu, C., Chin, A., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Capacitance density; HfO2; Metal-insulator-metal (MIM) capacitor; Sputter; Voltage coefficient of capacitor (VCC)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82950

10.1109/LED.2003.813381