Formation of polycrystalline silicon germanium/HfO2 gate stack structure using inductively coupled plasma etching
10.1116/1.1586283
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| 格式: | Article |
| 出版: |
2014
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| 在線閱讀: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82377 |
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| 機構: | National University of Singapore |