Enhancement of the flatband modulation of Ni-silicided gates on Hf-based dielectrics

10.1109/TED.2008.926581

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Yang, J.-J., Wang, X.-P., Zhu, C.-X., Li, M.-F., Yu, H.-Y., Loh, W.-Y., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	Chemical vapor deposited (CVD) Fermi-level pinning Flatband voltage (Vfb) HfLaO HfO2 Ni-based fully silicided (FUSI) gate Physical vapor deposited (PVD)
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82294
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة