Deposition temperature independent excellent passivation of highly boron doped silicon emitters by thermal atomic layer deposited Al2O 3

• المؤلفون الرئيسيون: Liao, B., Stangl, R., Ma, F., Hameiri, Z., Mueller, T., Chi, D., Aberle, A.G., Bhatia, C.S., Hoex, B.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82123
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1063/1.4819970