Surface smoothing of floating gates in flash memory devices via surface nitrogen and carbon incorporation

• المؤلفون الرئيسيون: Cha, C.-L., Chor, E.-F., Gong, H., Bourdillon, A.J., Jia, Y.-M., Pan, J.-S., Zhang, A.-Q., Chan, L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81235

Applied Physics Letters