Modelling the hot-carrier induced degradation in the subthreshold characteristics of submicrometer LDD PMOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Lou, C.L., Qin, W.H., Chim, W.K., Chan, D.S.H.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/72754
• المؤسسة: National University of Singapore

Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA