Full range workfunction tunning of MOSFETs using interfacial yttrium layer in fully germanided Ni gate

• المؤلفون الرئيسيون: Yu, H.P., Pey, K.L., Choi, W.K., Antoniadis, D.A., Fitzgerald, E.A., Dawood, M.K., Ow, K.Q., Chi, D.Z.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/70390
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1149/1.2727410