Influence of Si doping on the infrared reflectance characteristics of GaN grown on sapphire

Applied Physics Letters

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Hou, Y.T., Feng, Z.C., Chua, S.J., Li, M.F., Akutsu, N., Matsumoto, K.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62332
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore