High oxygen and carbon contents in GaAs epilayers grown below a critical substrate temperature by molecular beam epitaxy

10.1063/1.116551

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Goo, C.H., Lau, W.S., Chong, T.C., Tan, L.S., Chu, P.K.
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62275
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!