Properties of Schottky contact of titanium on low doped p-type SiGeC alloy by rapid thermal annealing

10.1016/S0038-1101(02)00322-2

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書目詳細資料
Main Authors: Li, B., Chua, S.-J., Nikolai, Y., Wang, L., Sia, E.-K.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57139
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