Investigation of the device degradation mechanism in pentacene-based thin-film transistors using low-frequency-noise spectroscopy

• المؤلفون الرئيسيون: Ke, L., Dolmanan, S.B., Vijila, C., Chua, S.J., Han, Y.H., Mei, T.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Degradation; Low frequency noise; Pentacene; Thin film transistor
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/56404

10.1109/TED.2009.2036313