Local phenomena at grain boundaries: An alternative approach to grasp the role of oxygen vacancies in metallization of VO2

• المؤلفون الرئيسيون: Lu, W., Wong, L.-M., Wang, S., Zeng, K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: Chinese Ceramic Society 2022
• الموضوعات: c-AFM; ESM; Fermi level; KPFM; VO2 thin film
• الوصول للمادة أونلاين: https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/214009
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1016/j.jmat.2018.09.003