Unipolar n-Type Conduction in Black Phosphorus Induced by Atomic Layer Deposited MgO

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Wang, Lin, Liao, Wugang, Xu, Shengqiang, Gong, Xiao, Zhu, Chunxiang, Ang, Kah-Wee
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 2020
الموضوعات:	ALD black phosphorus MgO n-Type conduction transistors
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/168821
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة