Atomic layer deposited Al2O3 on high quality p-type epitaxial-GaAs/Ge for advanced III-V/Ge based device application

• المؤلفون الرئيسيون: Kumar G.D., Chakraborty S., Mahata C., Amin Bhuiyan M., Dong J., Iskander A., Masudy-Panah S., Dinda S., Bin Yang R., Lee T., Chi D., Kean Chia C.
• مؤلفون آخرون: SOLAR ENERGY RESEARCH INST OF S'PORE
• التنسيق: مقال
• منشور في: Elsevier 2016
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/127612

10.1016/j.matlet.2015.05.001