The investigation of surface topography development in Si(001) and Si(111) during SIMS depth profiling
10.1016/S0218-625X(01)00123-3
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Lau, G.S., Tok, E.S., Wee, A.T.S., Liu, R., Lim, S.L. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | INSTITUTE OF ENGINEERING SCIENCE |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113107 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Kinetics of Si growth from hydride precursors on As-passivated Si(001) surface
بواسطة: Tok, E.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Sims depth profiling analysis of Cu/Ta/SiO2 interfacial diffusion at different annealing temperature
بواسطة: Liu, L., وآخرون
منشور في: (2014) -
Adsorption and diffusion of Co on the Si(001) surface
بواسطة: Peng, G.W., وآخرون
منشور في: (2014) -
Surface roughening effect in sub-keV SIMS depth profiling
بواسطة: Liu, R., وآخرون
منشور في: (2014) -
The interaction of C 60 with Si(111) and Co/Si(111)
بواسطة: Zilani, M.A.K., وآخرون
منشور في: (2014)