Growth and fabrication of low thermal-mass gallium nitride light-emitting diodes
Over the past two decades, the technology of InGaN/GaN-based light-emitting diodes (LEDs) has made tremendous progress. The optical performance has been extensively studied to get higher luminous efficacy within a desired cost structure. Today, the efficacy of LEDs has already surpassed that of the...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Theses and Dissertations |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2017
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/72485 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |