Avoiding abnormal grain growth when annealing selective laser melted pure titanium by promoting nucleation

In this study, the recrystallization process of selective laser melted (SLM) commercially pure titanium (CP-Ti) was followed by a quasi-in-situ electron backscatter diffraction (EBSD) method at 800 °C and 700 °C. Abnormal grain growth (AGG) initially emerges at the beginning of annealing at 800 °C a...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Chen, Kewei, Huang, De Jun, Li, Hua, Jia, Ning, Chong, Warren
مؤلفون آخرون: School of Mechanical and Aerospace Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2022
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/162543
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English