GeSn alloys fabricated by modified sputtering deposition
Direct band-gap semiconductors have always been an interest to the research community in the area of photonics and optoelectronics. Most commonly used group IV semiconductors such as silicon and germanium have shown their capabilities in the application of microelectronics, however, lack in breakthr...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Thesis-Doctor of Philosophy |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
Nanyang Technological University
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/137192 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|