การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์

Single crystals of the Culn1x Gax Se2 semiconducting compound were grown from the melt by directional freezing method, using the horizontal Bridgman technique, where X is approximately 0.1 and 0.2. The top free surfaces of all obtained crystals are normally the (112) plane. From EDS analysis of CIGS...

全面介紹

Saved in:
書目詳細資料
主要作者: ทวี ดีจะมาลา
其他作者: สมพงศ์ ฉัตราภรณ์
格式: Theses and Dissertations
語言:Thai
出版: จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2000
主題:
在線閱讀:https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:57762
標簽: 添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
機構: Chulalongkorn University
語言: Thai