การปลูกผลึกและการศึกษาลักษณะเฉพาะของสารกึ่งตัวนำคอปเปอร์อินเดียมแกลเลียมไดซีลีไนด์
Single crystals of the Culn1x Gax Se2 semiconducting compound were grown from the melt by directional freezing method, using the horizontal Bridgman technique, where X is approximately 0.1 and 0.2. The top free surfaces of all obtained crystals are normally the (112) plane. From EDS analysis of CIGS...
Saved in:
主要作者: | |
---|---|
其他作者: | |
格式: | Theses and Dissertations |
語言: | Thai |
出版: |
จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
2000
|
主題: | |
在線閱讀: | https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:57762 |
標簽: |
添加標簽
沒有標簽, 成為第一個標記此記錄!
|
機構: | Chulalongkorn University |
語言: | Thai |