อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต

84 pages

Saved in:

Bibliographic Details
Main Author:	ปุณยสิริ บุญเป็ง
Other Authors:	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
Format:	Theses and Dissertations
Language:	Thai
Published:	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2006
Subjects:	การวิเคราะห์โครงสร้าง (วิศวกรรมศาสตร์) อาร์เซไนต์ ควอนตัมดอต
Online Access:	https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:45017
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Institution:	Chulalongkorn University
Language:	Thai

id	45017
record_format	dspace
spelling	450172024-03-18T11:15:39Z https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:45017 ©จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย Thesis 10.58837/CHULA.THE.2006.1441 tha ปุณยสิริ บุญเป็ง อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต Effect of the indium composition and thickness of InGaAs insertion layer on InAs quantum dots จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย 2006 2006 84 pages This thesis reported about the systematical study of the effects of In-mole-fraction and thickness of InGaAs insertion layer (IL) on both the structurai and optical properties of InAs quantum dots. The In-mole-fraction of InGaAs IL was o.1, 0.2 and 0.3 and the thickness of InGaAs IL was 1,2,3, and 4 monolayer (ML). The density of InAs QDs on GaAs was 1x10[superscript 10] cm[superscript -2] and increased to 1.4-1.8x10[superscript 10] cm[superscript -2] for QDs grown on InGaAs IL. The results showed the dependence on the In-mole fraction and the thickness of InGaAs IL. The effect of In-mole-fraction and thickness of InGaAs IL on the FWHM from the photoluminescence (PL) results corresponded to the size distribution of InAs QDs. The average height of InAs QDs on GaAs was 4.8 nm. On the other hand, the average height of InAs QDs on In[subscript 0.1]Ga[subscript 0.9]As IL was increasing while the average height of InAs QDs which grown on I In[subscript 0.2]Ga[subscript 0.8]As and In[subscript 0.3]Ga[subscript 0.7]As Ls were decreasing. Furthermore, the effects of In-mole-fraction of 5 nm InGaAs capping layer (CL) on optical properties of InAs quantum dots with InGaAs IL were studies. From the PL spectrum of InAs QDs with InGaAs IL and 5 nm InGaAs CL, it was found that while increasing the In composition of InGaAs CL, the red shift of PL spectrum is increasing but the Intensity of PL spectrum is decreasing. Moreover, FWHM of the PL spectrum of InAs QDs with additional InGaAs CL was relative small compared to one of InAs QDs without CL วิทยานิพนธ์ฉบับนี้นำเสนอการศึกษาอิทธิพลของค่าสัดส่วนอินเดียม (X[subscript In]) และค่าความหนาของชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As ที่มีผลต่อคุณลักษณะทางโครงสร้างและทางแสงของ InAs ควอนตัมดอต ซึ่งได้ทำการเปลี่ยนแปลงค่าสัดส่วนอิมเดียมในชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As เท่ากับ 0.1 0.2 และ 0.3 และค่าความหนาของชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As เท่ากับ 1, 2, 3 และ 4 ML โดยได้พบว่าค่าความหนาแน่นของ InAs ควอนตัมดอตที่ปลูกบนชั้นผลึก GaAs เท่ากับ 1x10[superscript 10] cm[superscript -2] และได้เพิ่มขึ้นเป็น 1.4 ถึง 1.8x10[superscript 10] cm[superscript -2] สำหรับ InAs ควอนตัมดอตที่ปลูกบนชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As ซึ่งขึ้นอยู่กับค่าสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As โดยอิทธิพลของค่าสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As มีผลต่อค่า FWHM ที่ได้จากผลการวัดโฟโตลูมิเนสเซนซ์ซึ่งสอดคล้องกับค่าการกระจายเชิงขนาดของ InAs โดยค่าความสูงเฉลี่ยของ InAs ควอนตัมดอตที่ปลูกบนชั้นผลึก GaAs ได้เท่ากับ 4.8 nm และได้มีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อปลูกบนชั้นแทรก In[subscript 0.1]Ga[subscript 0.9]As แต่ค่าความสูงเฉลี่ยมีค่าลดลงเมื่อได้ทำการปลูกบนชั้นแรก In[subscript 0.2]Ga[subscript 0.8]As และ In[subscript 0.3]Ga[subscript 0.7]As นอกจากนี้ได้ทำการศึกษาอิทธิพลของค่าสัดส่วนอินเดียมในชั้นกลบ In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As มีค่าความหนา 5 nm ที่มีต่อคุณลักษณะทางแสงของ InAs ควอนตัมดอตที่มีชั้นแทรก In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As ด้วย ซึ่งจากผลการวัดโฟโตลูมิเนสเซนซ์พบว่าเมื่อทำการเพิ่มค่าสัดส่วนอินเดียมในชั้นกลบ In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As ลักษณะของสเปกตรัมทางโฟโตลูมิเนสเซนซ์ของ InAs ควอนตัมดอต มีลักษณะเลื่อนไปทางค่าความยาวคลื่นที่ยาวขึ้น แต่ค่าความเข้มแสงของสเปกตรัมมีค่าลดลง นอกจากนี้ค่า FWHM มีค่าลดลงด้วยเมื่อเปรียบเทียบกับ InAs ควอนตัมดอตที่ไม่มีชั้นกลบ In[subscript x]Ga[subscript 1-x]As. การวิเคราะห์โครงสร้าง (วิศวกรรมศาสตร์) อาร์เซไนต์ ควอนตัมดอต สมชัย รัตนธรรมพันธ์ https://digiverse.chula.ac.th/digital/file_upload/biblio/cover/45017.jpg
institution	Chulalongkorn University
building	Chulalongkorn University Library
continent	Asia
country	Thailand Thailand
content_provider	Chulalongkorn University Library
collection	Chulalongkorn University Intellectual Repository
language	Thai
topic	การวิเคราะห์โครงสร้าง (วิศวกรรมศาสตร์) อาร์เซไนต์ ควอนตัมดอต
spellingShingle	การวิเคราะห์โครงสร้าง (วิศวกรรมศาสตร์) อาร์เซไนต์ ควอนตัมดอต ปุณยสิริ บุญเป็ง อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
description	84 pages
author2	สมชัย รัตนธรรมพันธ์
author_facet	สมชัย รัตนธรรมพันธ์ ปุณยสิริ บุญเป็ง
format	Theses and Dissertations
author	ปุณยสิริ บุญเป็ง
author_sort	ปุณยสิริ บุญเป็ง
title	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
title_short	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
title_full	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
title_fullStr	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
title_full_unstemmed	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
title_sort	อิทธิพลของสัดส่วนอินเดียมและค่าความหนาของชั้นแทรกอินเดียมแกลเลียมอาร์เซไนต์ที่มีต่อโครงสร้างอินเดียมอาร์เซไนด์ควอนตัมดอต
publisher	จุฬาลงกรณ์มหาวิทยาลัย
publishDate	2006
url	https://digiverse.chula.ac.th/Info/item/dc:45017
_version_	1829267469282312192

Similar Items