Performance enhancement in uniaxial strained silicon-on-insulator N-MOSFETs featuring silicon-carbon source/drain regions

• المؤلفون الرئيسيون: Ang, K.-W., Chui, K.-J., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Lateral tensile strain; N-MOSFET; Silicon-carbon (Si1-yCy)
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82872

10.1109/TED.2007.906941