n-MOSFET with silicon-carbon source/drain for enhancement of carrier transport

• المؤلفون الرئيسيون: Chui, K.-J., Ang, K.-W., Balasubramanian, N., Li, M.-F., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Drive current; Iinjection velocity; n-MOSFETs; Uniaxial tension
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82767

10.1109/TED.2006.888629