Numerical simulation of backgating suppression in high electron mobility transistors (HEMTs) with a low temperature molecular beam epitaxy (MBE)-grown gallium arsenide buffer layer between the substrate and active layers

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, Leng Seow, Lau, Wai Shing, Samudra, Ganesh Shankar, Lee, Kin Man, Ang, Boon Yong
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62506

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters