InSe monolayer : synthesis, structure and ultra-high second-harmonic generation

III–IV layered materials such as indium selenide have excellent photoelectronic properties. However, synthesis of materials in such group, especially with a controlled thickness down to monolayer, still remains challenging. Herein, we demonstrate the successful synthesis of monolayer InSe by physica...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Zhou, Jiadong, Shi, Jia, Zeng, Qingsheng, Chen, Yu, Niu, Lin, Liu, Fucai, Yu, Ting, Suenaga, Kazu, Liu, Xinfeng, Lin, Junhao, Liu, Zheng
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2020
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/140641
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: Nanyang Technological University
اللغة: English